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地表位移監(jiān)測(cè)儀儲(chǔ)油罐沉降觀測(cè)傳感器
磁致式靜力水準(zhǔn)儀基坑隧道建筑公路文物沉降監(jiān)測(cè)
單晶硅沉降監(jiān)測(cè)傳感器隧道沉降觀測(cè)水準(zhǔn)儀
基坑周邊地表沉降監(jiān)測(cè)儀?靜力水準(zhǔn)儀自動(dòng)化監(jiān)測(cè)系統(tǒng)
美國(guó)光刻膠SPR955-0.9光刻膠
廈門(mén)光刻膠 美國(guó)光刻膠SPR955-0.9屬于?SPR955-CM系列正性i-Line光刻膠?,通過(guò)紫外光(365nm)曝光實(shí)現(xiàn)高分辨率圖形轉(zhuǎn)移,適用于0.35μm線寬的半導(dǎo)體制造工藝。其核心特性包括:?高分辨率?:支持極限線寬0.35μm,具備的底切(undercut)能力,適配Lift-off工藝
2025年09月03日 11:25:47
FT60E010A-URT輝芒微代理SOT23-6原裝8位單片機(jī)MCU
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)FT60E010A-URT輝芒微代理SOT23-6原裝8位單片機(jī)MCU,輝芒微代理,原裝現(xiàn)貨輝芒微代理商商輝芒微電子(深圳)股份有限公司是一家于“MCU+”的平臺(tái)型芯片設(shè)計(jì)企業(yè)。 公司采用Fabless經(jīng)營(yíng)模式,是國(guó)內(nèi)少數(shù)同時(shí)具備微控制器芯片、 電源管
2025年09月03日 11:19:44
美國(guó)光刻膠AZMIR70114CP光阻劑
廈門(mén)光刻膠 美國(guó)光刻膠AZ MIR701(14CP)是一種?高分辨率正性光刻膠?,膠厚范圍在?0.7-1.4μm?之間,極限線寬為?0.5μm?,適用于光刻工藝。通過(guò)稀釋可進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)?500納米及以下?的分辨率,適配激光干涉光刻等分辨率需求?粘附性?:該光刻膠具有的基板粘附性,尤其
2025年09月03日 11:15:44
FT61E045-RB輝芒微代理SOP20原裝8位單片機(jī)MCU
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)FT61E045-RB輝芒微代理SOP20原裝8位單片機(jī)MCU,輝芒微代理,原裝現(xiàn)貨輝芒微代理商商輝芒微電子(深圳)股份有限公司是一家于“MCU+”的平臺(tái)型芯片設(shè)計(jì)企業(yè)。 公司采用Fabless經(jīng)營(yíng)模式,是國(guó)內(nèi)少數(shù)同時(shí)具備微控制器芯片、 電源管理芯
2025年09月03日 11:15:10
美國(guó)光刻膠ZEP539A電子束光刻膠靈敏度高
廈門(mén)光刻膠 美國(guó)光刻膠ZEP539A屬于ZEP系列正性電子束光刻膠,該系列以高靈敏度著稱,其曝光劑量范圍通常低于常規(guī)PMMA膠(約為PMMA的3-4倍)?曝光劑量范圍?:雖未檢索到ZEP539A的具體數(shù)值,但同類(lèi)ZEP產(chǎn)品(如ZEP520A)的典型曝光劑量為?50-150mJ/cm2?,靈敏度
2025年09月03日 11:08:26
美國(guó)光刻膠電子級(jí)蝕刻液精密電子元器件用
廈門(mén)光刻膠 美國(guó)光刻膠?蝕刻因子?:側(cè)蝕寬度與深度的比值,高蝕刻因子(如1:0.5)可線寬精度?選擇性?:對(duì)目標(biāo)材料與掩膜/底層的刻蝕速率比,銅/鎢蝕刻比需達(dá)14:1?工藝控制?:?溫度?:酸性體系45-55℃,堿性體系需低于45℃以防氨揮發(fā)?添加劑?:硫脲緩蝕劑降低過(guò)
2025年09月03日 10:58:52
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磁致伸縮式靜力水準(zhǔn)儀沉降計(jì)隧道軌道沉降測(cè)量與監(jiān)測(cè)
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