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電子灌封膠種類非常多，從材質類型來分，目前人們使用多常見的主要為這3種：環(huán)氧樹脂灌封膠、有機硅灌封膠、聚氨酯灌封膠。但是單單這三種材質灌封膠又可細分幾百種不同的種類及用途產品。電子灌封膠在未固化前屬于液體狀，具有流動性，膠液黏度，根據不同產品的材質、性能、生產工藝的不同在其具體灌封膠操作中也有所區(qū)別。

電子元器件使用電子灌封膠時，要對環(huán)境的溫度、濕度及操作真空度、 溫度等影響因素做出嚴格的控制, 才能灌封成功率。一般來說，在灌封過程中, 要求環(huán)境溫度不得 25℃ , 否則, 所配膠料極易在短時間內硫化拉絲, 給灌封操作帶來不便。填料預烘溫度控制在 100 ℃左右 , 預烘時間為4 h左右, 使填料內的水分子充分蒸發(fā), 否則易造成由于水分子的殘存, 從而造成絕緣材料的表面導電率增加,體積電阻率降低, 介質損耗增加, 導致零部件電器短路、 漏電或擊穿等問題。

步驟一：用干凈容器將A與B按重量比10：1混合，快速攪拌均勻。硅膠中的空氣可用真空除去，但大多數情況下，在印花過程中氣泡會自行消失。根據用量，現配現用，先通過小量試用，掌握其使用技巧。為獲得平滑的印花效果，推薦使用精細的篩網（≥120目）。
步驟二：可根據客戶需求調整可操作時間及硫化時間。其它技術指標也可根據客戶不同求進行調整。

光刻光路的設計，有利于進一步提升數值孔徑，隨著技術的發(fā)展，數值孔徑由0.35發(fā)展到大于1。相關技術的發(fā)展也對光刻膠及其配套產品的性能要求變得愈發(fā)嚴格。
工藝系數從0.8變到0.4，其數值與光刻膠的產品質量有關。結合雙掩膜和雙刻蝕等技術，現有光刻技術使得我們能夠用193nm的激光完成10nm工藝的光刻。
為了實現7nm、5nm制程，傳統(tǒng)光刻技術遇到瓶頸