在使用IGBT模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸； 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時(shí)，在配線未接好之前請先不要接上模塊； 盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應(yīng)用中有時(shí)雖然了柵驅(qū)動電壓沒有超過柵大額定電壓，但柵連線的寄生電感和柵與集電間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外，在柵—發(fā)射間開路時(shí)，若在集電與發(fā)射間加上電壓，則隨著集電電位的變化，由于集電有漏電流流過，柵電位升高，集電則有電流流過。這時(shí)，如果集電與發(fā)射間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。

IGBT功率模塊
IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動，各種驅(qū)動保護(hù)電路，IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線電感，進(jìn)步系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱門。

可控硅有多種分類方法。
（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
可控硅開關(guān)
可控硅開關(guān)
（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。
（六）過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā)，是過零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。
（七）非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸發(fā)，即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角（角相位），來改變輸出百分比。
面向全國，蘇州模塊供應(yīng)商，代理商。
全新原裝，代理，大量庫存
ABB 、POSEICO、 WESTCODE 、IXYS 、SEMIKRON 、CATELEC 、SanRex、MITSUBISHI、EUPEC 、infineon 、POWERSEM 、DAWIN、TYCO
可控硅 IGBT IPM PIM系列模塊優(yōu)勢代理
主要銷售國際的整流管，晶閘管、快速晶閘管、電力模塊等產(chǎn)品?？偣疽言谙愀?、臺灣和東南亞享有名氣數(shù)十載。主要銷售世界各地電力電子器件，主要包括功率模塊、IGBT模塊、可控硅模塊、整流橋模塊、二極管模塊、IGBT單管和驅(qū)動板、單三相整流橋模塊、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管、保險(xiǎn)絲、熔斷器和氣動元件。主要包括:英飛凌、歐派克、日本三社、IXYS艾賽斯、ABB 、POSEICO、 WESTCODE 、西門康、富士、三菱、新電源、東芝、IR、摩托羅拉、西門子、美國巴斯曼、法國羅蘭等功率模塊。
我公司力爭“追求、創(chuàng)造、樹立、服務(wù)客戶”的質(zhì)量方針，以“客戶利益至上，產(chǎn)品質(zhì)量”為宗旨。真誠希望與您建立長期穩(wěn)定、互惠互利的關(guān)系。