科華光刻膠?C9005

廈門光刻膠 科華光刻膠類型?：可能屬于正性或負性光刻膠，具體需根據(jù)產(chǎn)品說明書確認。?分辨率?：光刻膠通常分辨率可達亞微米級（≤0.5μm），型號可能支持納米級圖形轉(zhuǎn)移。?敏感度?：典型曝光劑量范圍為50-150mJ/cm2，具體需根據(jù)配方調(diào)整。?粘度與耐溫性?：未檢

2025年08月29日 17:44:32

科華光刻膠CP4800

廈門光刻膠 科華光刻膠CP4800屬于?封裝級別?光刻膠，適用于高密度集成電路封裝工藝，但搜索結(jié)果未明確其具體技術(shù)參數(shù)（如分辨率、敏感度等）?參考同類產(chǎn)品?：封裝光刻膠通常需滿足以下共性指標：?分辨率?：亞微米級（≤1μm），部分型號可達0.5μm以下?粘附性?：

2025年08月29日 17:37:40

科華光刻膠C6124A1光刻膠

廈門光刻膠 科華光刻膠電子束光刻膠的理論分辨率可達2nm（2020年實驗數(shù)據(jù)），實際工藝中通常實現(xiàn)8-10nm線寬?敏感度?：典型電子束曝光劑量范圍為50-150mJ/cm2，具體需根據(jù)配方調(diào)整?粘度與耐溫性?：同類產(chǎn)品粘度通常為1-20cps（低粘度便于旋涂），耐溫性可達120

2025年08月29日 17:23:03

科華光刻膠C6350A國產(chǎn)光刻膠

廈門光刻膠 科華光刻膠電子束光刻膠通?？蛇_10nm以下，半導體光刻膠（如ArF）支持90nm至7nm制程?敏感度?：曝光劑量范圍約50-150mJ/cm2，具體取決于光刻膠類型和配方?粘度?：低粘度設(shè)計（1-20cps）便于旋涂成膜，膜厚可通過轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)?半導體制造：適用于邏輯芯

2025年08月29日 17:00:43

科華光刻膠C6111A1

廈門光刻膠 科華光刻膠根據(jù)搜索結(jié)果，C6111A1被描述為一種"g-i line thick resist"，屬于g線/i線厚膜光刻膠，厚度范圍為30000-50000?（3-5μm），適用于植入/鈍化工藝?技術(shù)特點?：g/i線光刻膠通常采用寬譜紫外線曝光（436nm/365nm），具有較高的感光

2025年08月29日 16:42:42

電動洗牙器方案MCU控制芯片

深圳市三佛科技有限公司供應電動洗牙器方案MCU控制芯片，技術(shù)支持電動洗牙器的核心在于電機的精密控制，因此對MCU的PWM和ADC外設(shè)要求較高。推薦架構(gòu)：ARMCortex-M0/M0+內(nèi)核的輝芒微32位MCU。性能足夠，功耗低，成本適中。對于有復雜脈沖算法或欲使用無刷電機

2025年08月29日 16:42:42