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中國擴散爐項目投資可行性分析報告<申請立項>2020版 【出版時間】: 2019年11月 【出版機構(gòu)】: 華研中商研究院 【交付方式】: EMIL電子版或特快專遞 【報告價格】: (紙質(zhì)版):12000元 (09月03日
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888.00元用途: 立式擴散爐用于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝過程中的高溫擴散,燒結(jié),退火等工藝。該系統(tǒng)具有儀表控制系統(tǒng),具有高密封性和抗腐蝕性的高純氣路系統(tǒng)。立式退火爐主要適合于8英寸工藝硅片的處理。 ..08月29日
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888.00元主要技術(shù)指標(biāo): ★ 爐管數(shù):1~4管 ★ 配工藝管口徑:Φ90~360 mm (3~12英寸) ★ 恒溫區(qū)長度: 760~1000 mm±1.0℃ (300~800℃) 760~1000 mm±0.5℃(800~1280℃) ★ 單點穩(wěn)定性: ±1...08月29日
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面議擴散爐主要滿足半導(dǎo)體電力電子器件、大功率集成電路等行業(yè),對所加工硅片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工控機微..11月08日
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面議氧化擴散爐性能特點: ◆具有可編程的升、降溫功能 ◆采用濾波器、屏蔽板等裝置,有效解決電網(wǎng)、磁場的干擾 ◆windows xp全中文視窗操作系統(tǒng),可儲存1000條曲線,每條曲線設(shè)置30步 ◆自動..11月08日
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面議擴散爐主要滿足半導(dǎo)體電力電子器件、大功率集成電路等行業(yè),對所加工的硅 片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工..11月08日
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擴散爐主要滿足半導(dǎo)體電力電子器件、大功率集成電路等行業(yè),對所加工硅片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工控機微..11月04日
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擴散爐主要滿足半導(dǎo)體電力電子器件、大功率集成電路等行業(yè),對所加工硅片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工控機微..09月27日
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55000.00元雙管擴散爐的應(yīng)用領(lǐng)域: 主要應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的擴散、氧化工藝,也可以用于玻璃對金屬的封裝焊接,石英制品的熱處理、LED發(fā)光粉體材料的煅燒等工藝。 主要特點: 1.采用高純石英管12月16日
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45000.00元特點: 1.半導(dǎo)體材料擴散爐采用高純石英管作為內(nèi)爐膛,具有良好的潔凈度 2.半導(dǎo)體材料擴散爐的耐火、保溫材料全部采用先進的輕質(zhì)纖維制品,整機能耗低,升溫快 3.半導(dǎo)體材料擴散爐的12月16日
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全球與中國市場擴散爐趨勢展望與投資機遇分析報告2017年版 ※※※鴻※※※晟※※※信※※※合※※※研※※※究※※※院※※※※ 【最新修訂】:2017年10月 【出版機構(gòu)】:鴻晟信合研10月23日
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面議太陽能擴散爐主要滿足光伏電池生產(chǎn)線對125mm×125mm、156mm×156mm多晶硅、單晶硅硅片進行擴散工藝。目前有第二代閉管擴散爐和第三代軟著陸擴散爐。? 技術(shù)指標(biāo): 可處理硅片尺寸:125mm×125mm..11月04日
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面議太陽能擴散爐主要滿足光伏電池生產(chǎn)線對125mm×125mm、156mm×156mm多晶硅、單晶硅硅片進行擴散工藝。目前有第二代閉管擴散爐和第三代軟著陸擴散爐。? 技術(shù)指標(biāo): 可處理硅片尺寸:125mm×125mm..11月09日
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中國擴散爐行業(yè)發(fā)展前景與投資戰(zhàn)略規(guī)劃建議報告?2020~2025年 ≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤ 節(jié)假日24小時咨詢熱線:139 2163 9537(兼并微信)(隨時來電有09月03日
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2020~2025年?中國擴散爐行業(yè)運行態(tài)勢及前景規(guī)劃建議報告 【報告目錄】 第一章 2019年世界擴散爐行業(yè)發(fā)展態(tài)勢分析 14 第一節(jié) 2019年世界擴散爐市場發(fā)展?fàn)顩r分析 14 一、世界擴散爐行業(yè)09月03日
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888.00元SIC氧化爐 擴散爐 ★ 爐管數(shù):1~4管 ★ 配工藝管口徑:Φ90~360 mm (3~12英寸) ★ 恒溫區(qū)長度: 760~1000 mm±1.0℃ (300~800℃) 760~1000 mm±0.5℃(800~1280℃) ★ 單點穩(wěn)定性: ±1.0℃/24h..08月29日
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888.00元設(shè)備用途:擴散爐用于大規(guī)模集成電路、電力電子、光電器件、光導(dǎo)纖維等行業(yè)的氧化、擴散、燒結(jié)、合金等工藝。 設(shè)備特點:單元組合方式。根據(jù)工藝的不同,可以在主機的基礎(chǔ)上配氣源柜、超凈..08月29日
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面議擴散爐主要滿足半導(dǎo)體電力電子器件、大功率集成電路等行業(yè),對所加工硅片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工控機微..11月09日
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面議擴散爐主要滿足半導(dǎo)體電力電子器件、大功率集成電路等行業(yè),對所加工硅片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工控機微..11月09日
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面議氧化擴散爐性能特點: ◆具有可編程的升、降溫功能 ◆采用濾波器、屏蔽板等裝置,有效解決電網(wǎng)、磁場的干擾 ◆windows xp全中文視窗操作系統(tǒng),可儲存1000條曲線,每條曲線設(shè)置30步 ◆自動..11月09日
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